Infineon Technologies - IPA057N08N3GXKSA1

KEY Part #: K6399610

IPA057N08N3GXKSA1 ราคา (USD) [40837ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.82784
  • 10 pcs$0.74965
  • 100 pcs$0.60227
  • 500 pcs$0.46842
  • 1,000 pcs$0.38812

ส่วนจำนวน:
IPA057N08N3GXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPA057N08N3GXKSA1 electronic components. IPA057N08N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA057N08N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA057N08N3GXKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPA057N08N3GXKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 90µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4750pF @ 40V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-FP
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย
  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.