ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
800mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
4.7 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
4.7 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
70 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน :
300MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
S-Mini