WeEn Semiconductors - BYR29X-600,127

KEY Part #: K6447137

BYR29X-600,127 ราคา (USD) [1527ชิ้นสต็อก]

  • 5,000 pcs$0.18826

ส่วนจำนวน:
BYR29X-600,127
ผู้ผลิต:
WeEn Semiconductors
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F. Rectifiers EPI
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in WeEn Semiconductors BYR29X-600,127 electronic components. BYR29X-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYR29X-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYR29X-600,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYR29X-600,127
ผู้ผลิต : WeEn Semiconductors
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.7V @ 8A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 75ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220FP
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 150°C (Max)
คุณอาจสนใจด้วย
  • DGS13-025CS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

  • MA3X0280BL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.

  • CSD10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

  • VS-8EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

  • NSB8MTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.

  • NSB8KTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.