Diodes Incorporated - DMTH6009SPS-13

KEY Part #: K6396370

DMTH6009SPS-13 ราคา (USD) [316141ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.11700

ส่วนจำนวน:
DMTH6009SPS-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6009SPS-13 electronic components. DMTH6009SPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6009SPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6009SPS-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMTH6009SPS-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12.9A (Ta), 89.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.8V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 29.3nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1572pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.8W (Ta), 136W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerDI5060-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย