ส่วนจำนวน :
PHK31NQ03LT,518
ผู้ผลิต :
Nexperia USA Inc.
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
30.4A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.15V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
33nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4235pF @ 12V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
6.9W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)