ส่วนจำนวน :
IPT059N15N3ATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
155A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
5.9 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 270µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
92nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
7200pF @ 75V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-HSOF-8-1
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerSFN