Microsemi Corporation - JANTX1N5614US

KEY Part #: K6444139

JANTX1N5614US ราคา (USD) [6470ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.83526
  • 10 pcs$6.21475
  • 25 pcs$5.74867
  • 100 pcs$5.28254
  • 250 pcs$4.81643

ส่วนจำนวน:
JANTX1N5614US
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5614US electronic components. JANTX1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5614US คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : JANTX1N5614US
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
ชุด : Military, MIL-PRF-19500/437
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.3V @ 3A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 2µs
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 500nA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SQ-MELF, A
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 200°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-30WQ10FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.