Infineon Technologies - IRFS4410ZPBF

KEY Part #: K6408151

IRFS4410ZPBF ราคา (USD) [8592ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.30447
  • 10 pcs$1.18019
  • 100 pcs$0.89967
  • 500 pcs$0.69973
  • 1,000 pcs$0.57978

ส่วนจำนวน:
IRFS4410ZPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFS4410ZPBF electronic components. IRFS4410ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS4410ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS4410ZPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFS4410ZPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 97A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 150µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4820pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย