ส่วนจำนวน :
ZXMC6A09DN8TA
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.9A, 3.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
24.2nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1407pF @ 40V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SOP