Nexperia USA Inc. - PSMN1R2-25YLDX

KEY Part #: K6420155

PSMN1R2-25YLDX ราคา (USD) [165006ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22416
  • 1,500 pcs$0.20823

ส่วนจำนวน:
PSMN1R2-25YLDX
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLDX electronic components. PSMN1R2-25YLDX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R2-25YLDX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R2-25YLDX คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : PSMN1R2-25YLDX
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 60.3nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4327pF @ 12V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Body)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 172W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : LFPAK56, Power-SO8
แพ็คเกจ / เคส : SC-100, SOT-669

คุณอาจสนใจด้วย
  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.