ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10A (Ta), 12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.55V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
900pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
-