Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10BHE3/54

KEY Part #: K6447638

[1356ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    EGP10BHE3/54
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10BHE3/54 electronic components. EGP10BHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10BHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP10BHE3/54 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : EGP10BHE3/54
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    ชุด : SUPERECTIFIER®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 950mV @ 1A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 100V
    ความจุ @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : DO-204AL, DO-41, Axial
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-204AL (DO-41)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast