Infineon Technologies - BSZ028N04LSATMA1

KEY Part #: K6420275

BSZ028N04LSATMA1 ราคา (USD) [178012ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.20778
  • 5,000 pcs$0.19644

ส่วนจำนวน:
BSZ028N04LSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSZ028N04LSATMA1 electronic components. BSZ028N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ028N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ028N04LSATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSZ028N04LSATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 21A (Ta), 40A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2300pF @ 20V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.1W (Ta), 63W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TSDSON-8-FL
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย