ส่วนจำนวน :
IPB65R280E6ATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH TO263-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
13.8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.5V @ 440µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
45nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
950pF @ 100V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB