Infineon Technologies - IRF7902PBF

KEY Part #: K6524556

[3792ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRF7902PBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7902PBF electronic components. IRF7902PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7902PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7902PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRF7902PBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.4A, 9.7A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.25V @ 25µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.9nC @ 4.5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 580pF @ 15V
    พลังงาน - สูงสุด : 1.4W, 2W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

    คุณอาจสนใจด้วย