ส่วนจำนวน :
70V658S12BFGI8
ผู้ผลิต :
IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
2Mb (64K x 36)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
12ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.15V ~ 3.45V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
208-LFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
208-FPBGA (15x15)