Vishay Semiconductor Diodes Division - SD233N36S50PSC

KEY Part #: K6451178

[147ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SD233N36S50PSC
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SD233N36S50PSC electronic components. SD233N36S50PSC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SD233N36S50PSC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SD233N36S50PSC คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SD233N36S50PSC
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 3600V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 235A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 3.2V @ 1000A
    ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 5µs
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 50mA @ 3600V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Chassis, Stud Mount
    แพ็คเกจ / เคส : B-8
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : B-8
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 125°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • MA3XD1100L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

    • 8EWS10STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWS12STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 8EWS10S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWS08STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

    • 8EWS08STR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.