Vishay Semiconductor Diodes Division - LS4150GS08

KEY Part #: K6458609

LS4150GS08 ราคา (USD) [3058254ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01209
  • 2,500 pcs$0.01165
  • 5,000 pcs$0.01051
  • 12,500 pcs$0.00914
  • 25,000 pcs$0.00822
  • 62,500 pcs$0.00731
  • 125,000 pcs$0.00609

ส่วนจำนวน:
LS4150GS08
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 600mA 4.0 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4150GS08 electronic components. LS4150GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4150GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LS4150GS08 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : LS4150GS08
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 50V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 600mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 200mA
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 4ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 100nA @ 50V
ความจุ @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SOD-80 Variant
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOD-80 QuadroMELF
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 175°C (Max)

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode