IXYS - DSEP30-12A

KEY Part #: K6446924

DSEP30-12A ราคา (USD) [20111ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.25198
  • 10 pcs$2.01180
  • 25 pcs$1.81057
  • 100 pcs$1.64967
  • 250 pcs$1.48874
  • 500 pcs$1.33583
  • 1,000 pcs$1.06883

ส่วนจำนวน:
DSEP30-12A
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD. Rectifiers 1200V 30A
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS DSEP30-12A electronic components. DSEP30-12A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSEP30-12A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DSEP30-12A คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DSEP30-12A
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD
ชุด : HiPerFRED™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 30A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.74V @ 30A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 40ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 250µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • RHRD660S9A_NL

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

  • MMBD1501A_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MMBD1201_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.