ส่วนจำนวน :
71V65903S85BQ8
ผู้ผลิต :
IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Synchronous ZBT
ขนาดหน่วยความจำ :
9Mb (512K x 18)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.135V ~ 3.465V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
165-CABGA (13x15)