Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525215

SQJ951EP-T1_GE3 ราคา (USD) [133641ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.27677
  • 3,000 pcs$0.23388

ส่วนจำนวน:
SQJ951EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_GE3 electronic components. SQJ951EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ951EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ951EP-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQJ951EP-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 50nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1680pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 56W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8 Dual

คุณอาจสนใจด้วย
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J66TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC.