ON Semiconductor - NRVBM110LT1G

KEY Part #: K6429231

NRVBM110LT1G ราคา (USD) [577363ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06760
  • 3,000 pcs$0.06726

ส่วนจำนวน:
NRVBM110LT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers REC 1A10V PWRMITE SCHTKY
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NRVBM110LT1G electronic components. NRVBM110LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVBM110LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVBM110LT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NRVBM110LT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
ชุด : POWERMITE®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 10V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 415mV @ 2A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 500µA @ 10V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-216AA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Powermite
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 125°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.

  • DB3X207K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 20V 1A MINI3.

  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • MBR1090HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 90V 10A TO220AC.

  • MBR1045 C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 45V 10A TO220AC.

  • MBR1035HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.