ผู้ผลิต :
Texas Instruments
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
20A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
23.9 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
4.7nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
655pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-WSON (2x2)
แพ็คเกจ / เคส :
6-WDFN Exposed Pad