Texas Instruments - CSD25310Q2

KEY Part #: K6419412

CSD25310Q2 ราคา (USD) [467723ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.07908
  • 3,000 pcs$0.07309

ส่วนจำนวน:
CSD25310Q2
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Texas Instruments CSD25310Q2 electronic components. CSD25310Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD25310Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD25310Q2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CSD25310Q2
ผู้ผลิต : Texas Instruments
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
ชุด : NexFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 655pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-WSON (2x2)
แพ็คเกจ / เคส : 6-WDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย