Alliance Memory, Inc. - AS4C16M16D1-5BCN

KEY Part #: K939724

AS4C16M16D1-5BCN ราคา (USD) [26323ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.74077
  • 10 pcs$1.57771
  • 25 pcs$1.54351
  • 50 pcs$1.53496
  • 100 pcs$1.37653
  • 250 pcs$1.37141
  • 500 pcs$1.32090
  • 1,000 pcs$1.25584

ส่วนจำนวน:
AS4C16M16D1-5BCN
ผู้ผลิต:
Alliance Memory, Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - ตัวแปลง V / F และ F / V, PMIC - ไดรเวอร์มอเตอร์ตัวควบคุม, Linear - Amplifiers - Audio, ชิป IC, ตรรกะ - รองเท้าแตะ, แบบฝัง - PLD (อุปกรณ์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้), PMIC - การวัดพลังงาน and PMIC - หรือคอนโทรลเลอร์, ไดโอดในอุดมคติ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCN electronic components. AS4C16M16D1-5BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M16D1-5BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M16D1-5BCN คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : AS4C16M16D1-5BCN
ผู้ผลิต : Alliance Memory, Inc.
ลักษณะ : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM - DDR
ขนาดหน่วยความจำ : 256Mb (16M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 200MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 700ps
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 2.3V ~ 2.7V
อุณหภูมิในการทำงาน : 0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 60-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 60-TFBGA (8x13)

คุณอาจสนใจด้วย
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM