Microsemi Corporation - JAN1N4960CUS

KEY Part #: K6479759

JAN1N4960CUS ราคา (USD) [4096ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.57320
  • 100 pcs$9.50154

ส่วนจำนวน:
JAN1N4960CUS
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE ZENER 12V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4960CUS electronic components. JAN1N4960CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4960CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4960CUS คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : JAN1N4960CUS
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : DIODE ZENER 12V 5W D5B
ชุด : Military, MIL-PRF-19500/356
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) : 12V
ความอดทน : ±2%
พลังงาน - สูงสุด : 5W
ความต้านทาน (สูงสุด) (Zzt) : 2.5 Ohms
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 9.1V
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.5V @ 1A
อุณหภูมิในการทำงาน : -65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : E-MELF
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5B

คุณอาจสนใจด้วย
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • MMBD7000-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM