Vishay Siliconix - IRFUC20PBF

KEY Part #: K6393023

IRFUC20PBF ราคา (USD) [55666ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.61461
  • 10 pcs$0.54604
  • 100 pcs$0.43156
  • 500 pcs$0.31659
  • 1,000 pcs$0.24994

ส่วนจำนวน:
IRFUC20PBF
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix IRFUC20PBF electronic components. IRFUC20PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFUC20PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFUC20PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFUC20PBF
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 350pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-251AA
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย