Vishay Siliconix - SIHB10N40D-GE3

KEY Part #: K6393049

SIHB10N40D-GE3 ราคา (USD) [49745ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.78603
  • 1,000 pcs$0.34821

ส่วนจำนวน:
SIHB10N40D-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3 electronic components. SIHB10N40D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB10N40D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB10N40D-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHB10N40D-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 400V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 526pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 147W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263 (D²Pak)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย