Nexperia USA Inc. - BUK9Y72-80E,115

KEY Part #: K6421150

BUK9Y72-80E,115 ราคา (USD) [369357ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10014
  • 1,500 pcs$0.09563

ส่วนจำนวน:
BUK9Y72-80E,115
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 80V LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9Y72-80E,115 electronic components. BUK9Y72-80E,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9Y72-80E,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9Y72-80E,115 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BUK9Y72-80E,115
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V LFPAK
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 7.9nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 898pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 45W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : LFPAK56, Power-SO8
แพ็คเกจ / เคส : SC-100, SOT-669

คุณอาจสนใจด้วย