Infineon Technologies - IPI80CN10N G

KEY Part #: K6407189

[8625ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPI80CN10N G
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPI80CN10N G electronic components. IPI80CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI80CN10N G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPI80CN10N G
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
    ชุด : OptiMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 13A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 12µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 716pF @ 50V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 31W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO262-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.