Infineon Technologies - IPS65R600E6AKMA1

KEY Part #: K6419719

IPS65R600E6AKMA1 ราคา (USD) [127686ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.28968
  • 1,500 pcs$0.26580

ส่วนจำนวน:
IPS65R600E6AKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V TO-251-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPS65R600E6AKMA1 electronic components. IPS65R600E6AKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS65R600E6AKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS65R600E6AKMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPS65R600E6AKMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V TO-251-3
ชุด : CoolMOS™ E6
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 210µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 440pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 63W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO251-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Stub Leads, IPak

คุณอาจสนใจด้วย