ON Semiconductor - NVMFS5A160PLZWFT3G

KEY Part #: K6392910

NVMFS5A160PLZWFT3G ราคา (USD) [66420ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.58868

ส่วนจำนวน:
NVMFS5A160PLZWFT3G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
-60V7.7MOHMSINGLE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5A160PLZWFT3G electronic components. NVMFS5A160PLZWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5A160PLZWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5A160PLZWFT3G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NVMFS5A160PLZWFT3G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : -60V7.7MOHMSINGLE
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15A (Ta), 100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.6V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7700pF @ 20V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN, 5 Leads

คุณอาจสนใจด้วย