STMicroelectronics - STTH1003SBY-TR

KEY Part #: K6452432

STTH1003SBY-TR ราคา (USD) [156806ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.23588
  • 2,500 pcs$0.19825
  • 5,000 pcs$0.18881

ส่วนจำนวน:
STTH1003SBY-TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK. Rectifiers Auto Hi efficiency 10A 300V 13ns 0.9V
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STTH1003SBY-TR electronic components. STTH1003SBY-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STTH1003SBY-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STTH1003SBY-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STTH1003SBY-TR
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 300V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 10A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.3V @ 10A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 35ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 300V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM