IXYS - IXFH23N60Q

KEY Part #: K6408885

IXFH23N60Q ราคา (USD) [8566ชิ้นสต็อก]

  • 30 pcs$4.52173

ส่วนจำนวน:
IXFH23N60Q
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFH23N60Q electronic components. IXFH23N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH23N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH23N60Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFH23N60Q
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 23A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3300pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 400W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • IXCY01N90E

    IXYS

    MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.

  • FDD6N20TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK.

  • FDD8444L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • HUFA76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

  • FDD6N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD3N40TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 400V 2A DPAK.