Renesas Electronics America - RJK4002DPP-M0#T2

KEY Part #: K6404015

[2158ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    RJK4002DPP-M0#T2
    ผู้ผลิต:
    Renesas Electronics America
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 400V 3A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Renesas Electronics America RJK4002DPP-M0#T2 electronic components. RJK4002DPP-M0#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK4002DPP-M0#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK4002DPP-M0#T2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : RJK4002DPP-M0#T2
    ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 400V 3A TO220
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 400V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6nC @ 100V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 165pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 20W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220FL
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.