Diodes Incorporated - ZXMN6A08E6TC

KEY Part #: K6411060

[13921ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    ZXMN6A08E6TC
    ผู้ผลิต:
    Diodes Incorporated
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TC electronic components. ZXMN6A08E6TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A08E6TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A08E6TC คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : ZXMN6A08E6TC
    ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.8A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 459pF @ 40V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.1W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-26
    แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6

    คุณอาจสนใจด้วย
    • SSN1N45BBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

    • ZVP4424ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4424ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP4105ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

    • ZVP3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.