Infineon Technologies - IRFR5505CTRLPBF

KEY Part #: K6408289

[678ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRFR5505CTRLPBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR5505CTRLPBF electronic components. IRFR5505CTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR5505CTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR5505CTRLPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRFR5505CTRLPBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 18A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 650pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 57W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย