Vishay Siliconix - SIZF906DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523134

SIZF906DT-T1-GE3 ราคา (USD) [125990ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.29504
  • 3,000 pcs$0.29357

ส่วนจำนวน:
SIZF906DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 electronic components. SIZF906DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF906DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZF906DT-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIZF906DT-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
ชุด : TrenchFET® Gen IV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 38W (Tc), 83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerWDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-PowerPair® (6x5)

คุณอาจสนใจด้วย