Infineon Technologies - IPT012N08N5ATMA1

KEY Part #: K6401984

IPT012N08N5ATMA1 ราคา (USD) [23936ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.72178
  • 2,000 pcs$1.70854

ส่วนจำนวน:
IPT012N08N5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPT012N08N5ATMA1 electronic components. IPT012N08N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT012N08N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT012N08N5ATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPT012N08N5ATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 300A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.8V @ 280µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 17000pF @ 40V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-HSOF-8-1
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerSFN

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • BS270-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • BS170-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.