ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
6A (Tc) (90°C)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247AB