GeneSiC Semiconductor - GA06JT12-247

KEY Part #: K6412611

GA06JT12-247 ราคา (USD) [13386ชิ้นสต็อก]

  • 1,260 pcs$4.76672

ส่วนจำนวน:
GA06JT12-247
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 electronic components. GA06JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA06JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA06JT12-247 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : GA06JT12-247
ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ : TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : -
เทคโนโลยี : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Tc) (90°C)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3
คุณอาจสนใจด้วย
  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • NDF10N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.