Diodes Incorporated - DMG7401SFG-7

KEY Part #: K6395075

DMG7401SFG-7 ราคา (USD) [392732ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,000 pcs$0.08429

ส่วนจำนวน:
DMG7401SFG-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMG7401SFG-7 electronic components. DMG7401SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG7401SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG7401SFG-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMG7401SFG-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2987pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 940mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerDI3333-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerWDFN