ON Semiconductor - NGTD9R120F2SWK

KEY Part #: K6425042

NGTD9R120F2SWK ราคา (USD) [161647ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22882
  • 1,035 pcs$0.18064

ส่วนจำนวน:
NGTD9R120F2SWK
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NGTD9R120F2SWK electronic components. NGTD9R120F2SWK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD9R120F2SWK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD9R120F2SWK คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NGTD9R120F2SWK
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : -
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.6V @ 15A
ความเร็ว : -
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : Die
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 175°C (Max)

คุณอาจสนใจด้วย
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.