ส่วนจำนวน :
SSM3J130TU,LF
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.4A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
25.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
24.8nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1800pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
UFM
แพ็คเกจ / เคส :
3-SMD, Flat Leads