Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETS12-M3

KEY Part #: K6434321

VS-10ETS12-M3 ราคา (USD) [50733ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.77071
  • 1,000 pcs$0.69506

ส่วนจำนวน:
VS-10ETS12-M3
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETS12-M3 electronic components. VS-10ETS12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETS12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETS12-M3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VS-10ETS12-M3
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 10A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 10A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 50µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AC
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12SLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)

  • VS-8EWS08STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS08STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3