ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.7A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
700mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
8.2nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
240pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET :
Schottky Diode (Isolated)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Micro8™
แพ็คเกจ / เคส :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)