ส่วนจำนวน :
DMP21D2UFA-7B
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
330mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
0.8nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
49pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
360mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
X2-DFN0806-3