GeneSiC Semiconductor - GA20SICP12-247

KEY Part #: K6412389

GA20SICP12-247 ราคา (USD) [13463ชิ้นสต็อก]

  • 250 pcs$19.67285

ส่วนจำนวน:
GA20SICP12-247
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
TRANS SJT 1200V 45A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - TRIACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 electronic components. GA20SICP12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20SICP12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20SICP12-247 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : GA20SICP12-247
ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ : TRANS SJT 1200V 45A TO247
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : -
เทคโนโลยี : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 45A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 20A
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3091pF @ 800V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 282W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3
คุณอาจสนใจด้วย
  • IRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR2307Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR2607Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR1010Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.