IXYS - IXFH8N80

KEY Part #: K6416570

IXFH8N80 ราคา (USD) [16233ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.93409
  • 30 pcs$2.91949

ส่วนจำนวน:
IXFH8N80
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFH8N80 electronic components. IXFH8N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH8N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH8N80 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFH8N80
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2600pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 180W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • TK31A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS.