IXYS - IXTY26P10T

KEY Part #: K6394582

IXTY26P10T ราคา (USD) [41564ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.03997
  • 70 pcs$1.03480

ส่วนจำนวน:
IXTY26P10T
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTY26P10T electronic components. IXTY26P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY26P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY26P10T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTY26P10T
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
ชุด : TrenchP™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 26A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±15V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3820pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63