ผู้ผลิต :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
ประเภท FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10A, 13.8A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
13.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
17nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
910pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด :
1.9W, 2.1W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerVDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-DFN (5x6)