ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
100mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
12.2pF @ 3V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
ES6